在芯片后端制程中,互连金属的纯度与晶体结构直接影响电迁移寿命与信号完整性。我们采用区域熔炼技术,通过20次以上提纯使铝材纯度达到99.999%。

材料制备采用定向凝固工艺:在99.999%高纯氩气保护下,以10-30μm/s速率进行定向凝固。该工艺使材料获得强烈的<111>织构,织构强度达15MRD。电迁移测试显示,布线寿命较普通材料提升5倍以上。

通过GDMS分析显示,关键杂质铁、硅含量均控制在0.5ppm以下。在125℃、2MA/cm²电流密度条件下,材料平均失效时间超过800小时,完全满足高性能芯片的可靠性要求。
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